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2012年4月27日 本文采用轮碾机、振捣整形机、罐磨机和砂磨机对各粒径碳化硅粉体颗粒 进行整形，通过显微镜观察颗粒整形前后的表观形貌和测量整形前后的振实密 度，确定各整形方法的效果和适合整形的碳化硅粉体粒径，并建立料饼厚度、采用热处理法对不规则形状碳化硅粉体进行了整形研究。分析了不同粒径碳化硅粉末在不同热 先进行氧化处理,然后再用机械研磨技术采用适当的工艺参数达到预期的整形的目的。利 碳化硅粉料整形的目的
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1.1 碳化硅粉末的制备方法. 碳化硅的合成： 选择石油焦、无烟煤、木炭等碳原料和石英砂、硅石等硅原料，通过高温烧结得到碳化硅。. 碳化硅的具体生产工艺包括. 加工和粉碎： 2020年11月13日 辛总告诉记者，目前碳化硅微粉主要是通过气流、湿法整形。 对于所涉及的设备，主要有 砂磨机 、 气流粉碎机 。 但由于SiC属于共价键化合物，当Si原子与C原 国产碳化硅微粉的弱项正是凯华努力的方向 ——访潍坊凯华 ...
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【摘 要】采用机械球磨法对不规则形状碳化硅粉体进行了整形研究.分析了三种不同粒径碳化硅粉体在不同球磨时间下,碳化硅粉体的形貌、圆度、粒径大小及分布的变化,并进一步对 2020-11-13 [导读] 围绕碳化硅微粉的整形，2020年10月28日，在由中国粉体网主办的“第三届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”召开期间，我们邀请到专注碳化硅微粉近二十年之久的 碳化硅粉料整形的目的,
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2020年3月31日 碳化硅是以共介健为主的共价化合物，由于碳与硅两元素在形成SiC晶体时，SiC原子中S→P电子的迁移导致能量稳定的SP3杂化排列，从而形成具有金刚石结构的SiC。碳化硅的粒径大小对线切割影响很大， 但最重要的是碳化硅的颗粒形状。 因为线切割时碳化硅为游离状态切割 颗粒的形状变化对切割效率及切割质量要重要影响。碳化硅微粉_百度百科
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2020年11月30日 中国粉体网讯 碳化硅以其优异的物理化学性能在很多领域都有着广泛的应用前景，作为第三代半导体材料，碳化硅单晶是制作高频、大功率电子器件的理想材料。 2020年11月30日 针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。 高纯SiC粉 碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成方法及工艺 ...
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碳化硅粉料整形的目的 2022-08-19T06:08:49+00:00 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 豆丁网 对比整形前后碳化硅粉对挤出成型坯体密度的影响，分析其产生的原因。 实验结果发现，轮碾机整形法适合对粒径范围在100～1000＃m中粗碳化硅粉整形，轮碾机整形 ...2020年11月13日 围绕碳化硅微粉的整形，2020年10月28日，在由中国粉体网主办的“第三届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”召开期间，我们邀请到专注碳化硅微粉近二十年之久的潍坊凯华碳化硅微粉有限公司的辛国栋总经理做客“对话”栏目，进行视频访谈。国产碳化硅微粉的弱项正是凯华努力的方向 ——访潍坊凯华 ...
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2015年2月4日 对比 整形前后碳化硅粉对挤出成型坯体密度的影响，分析其产生的原因。. 实验结果发现，轮碾机整形法适合对粒径范围在100～1000＃m中粗碳化硅 粉整形，轮碾机整形法时间短、效率高；振捣整形机整形法整形对140／tm左右 的中粉整形效果明显，振捣整形机 碳化硅粉来自山东金蒙新材料股份有限公司，产品纯度≥98.5%，选用了三种粒度的SiC粉来进行机械球磨整形研究，其D50分别为30.94、10.58、1.549μm (对应样品编号a、b和c，整形后对应编号为d、e和f)。. 1.2 碳化硅粉体的整形. 本实验机械整形采用QM-800球釉机，转速设置 ...碳化硅粉的球磨整形研究 - 百度文库
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2021年10月9日 一种碳化硅粉料的合成方法与流程. 1.本发明涉及碳化硅合成领域，特别涉及到一种碳化硅粉料的合成方法。. 2.碳化硅 (sic)作为第三代半导体技术的代表，具有宽禁带、高导热率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等性质，被广泛应用于制造电力电子、射频器件 2010年11月3日 整形前后碳化硅粉对挤出成型坯体密度的影响，分析其产生的原因。. 实验结果发现，轮碾机整形法适合对粒径范围在100～1000＃m中粗碳化硅. 粉整形，轮碾机整形法时间短、效率高；振捣整形机整形法整形对140／tm左右. 的中粉整形效果明显，振捣整形 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 - 豆丁网
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2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关...2018年12月8日 技术实现要素：. 本发明的目的是提供一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅（sic）粉料的合成方法。. 一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅（sic）粉料的合成方法，包括以下步骤：. 采用高纯硅粉和高纯碳粉为原料，采用高纯硅粉和高纯碳粉为原料并混合均 一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅粉料的合成方法与流程
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碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。2023年6月28日 9.一种提高碳化硅粉料利用率的方法，其特征在于，所述方法利用权利要求1-7任一项所述隔离筒装料，所述方法包括如下步骤：. 10.根据权利要求9所述方法，其特征在于，所述的单晶生长温度为2100℃～2500℃，所述的保温时间为60～120h。. 技术总结. 本发 一种提高碳化硅粉料利用率的方法 - X技术网
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2024年1月17日 发明内容. 针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种碳化硅粉料的自动装料装置及装料方法，在本发明中，通过进料机构、称重机构、盛料机构、传动机构、升降机构和控制单元的组合设置，实现自动装料过程，并同时监控装料高度、装料重量和 ...2020年2月12日 1、加热氧化法. 通过对碳化硅微粉进行高温煅烧，使碳化硅微粉中的游离碳及石墨与空气中的氧气反应，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脱离碳化硅，从而实现了除碳的目的。. 付仲超等利用高温煅烧除去碳化硅微粉中的碳杂质。. 该方法的最佳工艺条件为煅烧 ...碳化硅微粉除碳的六种工艺方法-找耐火材料网
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2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。. 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热 2023年5月19日 天科合达发明了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤：将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。. 该发 生长SiC晶体用的高纯碳化硅粉料如何制备？-技术-资讯-中国 ...
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2020年11月30日 针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。. 高纯SiC粉料合成方法. 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为 ...2020年11月30日 针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。. 高纯SiC粉料合成方法. 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为 ...碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成方法及工艺 ...
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2020年11月30日 针对用于单晶生长的高纯 碳化硅粉 料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。. 高纯SiC粉料合成方法. 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合 CN103708463A公开了公斤级高纯碳化硅粉的制备方法，该方法首先进行坩祸镀膜预处理，先镀碳膜后镀碳化硅膜，然后将硅粉和碳粉混合均匀后放入中频加热炉，在1500-1900°C之间高温合成获得公斤级高纯碳化硅粉料。. CN101302011A公开了用于半导体单晶生长的高纯 ...一种高纯碳化硅粉料制备的方法
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2022年4月16日 36.本实施例提供的碳化硅粉料合成装置，在进行碳化硅粉料提纯作业时，将硅粉和碳粉充分混合并置于第二腔室230中，利用设于套筒100外侧的加热件400提供热量，热量通过套筒100以及套筒100和坩埚200共同限定出的第一腔室500传导至坩埚200内，触发硅粉和碳粉的 ...2019年3月22日 cn105417541a公开了一种高纯碳化硅粉料的制备方法，将混合好的原料置于高纯石墨坩埚中，将石墨坩埚置于中频感应加热炉中；在未开始加热时往炉腔中注入高纯h2至800mbar，然后保持压力800mbar，并保持h2持续充入1小时；将设备抽真空，使得真空 一种制备高纯碳化硅粉料的方法与流程
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2018年12月7日 因此粒径可控的大粒径SiC粉料的制备对于碳化硅晶体的生长非常重要。. 将上述坩埚放入加热炉中 ，抽真空到炉内部压力小于10-3Pa后 ，充入压力为1×104Pa 到9×104Pa范围内的惰性气体； 再将炉内温度由室温升到SiC粉料合成温度并在此温度和惰性气体压力为1×104Pa到 ...温度对碳化硅粉料合成的影响. 采用高温合成方法生成了高纯碳化硅 (SiC)粉.采用高纯碳 (C)粉和硅 (Si)粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应.实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响.当 ...温度对碳化硅粉料合成的影响 - 百度学术
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Explore the potential applications of high-purity silicon carbide powder in various fields, including semiconductors.2022年9月3日 1.本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，具体为一种碳化硅粉料的合成方法 及应用。背景技术： 2.碳化硅粉料作为碳化硅(sic)晶体生长的原料，碳化硅粉料的纯度、颗粒 度、形状都会对生长得到的碳化硅晶体质量产生直接影响。 碳化硅粉料的处理过 程、颗粒度、晶型对晶体生长有重要影响，这主要 ...一种碳化硅粉料的合成方法及应用与流程 - X技术网
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2022年2月9日 一种碳化硅粉料的合成方法，包括如下步骤：. [0007] 将碳粉和硅粉混合后再向所述的碳粉和硅粉的混合料中加入聚碳硅烷纤维，以混合得到原料；以及. [0008] 将所述的原料置于加热炉中进行经至少二次加热，得到所述的碳化硅粉料。. [0009] 在本发明的一个实 2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...碳化硅_百度百科
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2017年6月22日 碳化硅粉体整形工艺的研究,碳化硅粉体整形工艺的研究, 碳化硅粉体整形工艺的研究 频道 上传 书房 登录 注册 论文 > 管理论文 > 碳化硅 ... 一种碳化硅粉料的 制备方法与碳化硅粉料 热度: 页数:16 一种碳化硅粉体的制备方法 热度 ...2024年3月11日 绍兴晶彩科技有限公司作为国内首家可以生产粒度从亚微米级到毫米范围半导体级碳化硅粉料的企业。主营 第三代半导体碳化硅单晶专用的多晶粉体、高纯碳粉、高纯石墨件、高纯石墨毡; 半导体制程所需的高精密特种碳化硅陶瓷件专用超高纯粉体;5G 领域专用的热管理材料导热填料。绍兴晶彩科技有限公司-高纯碳化硅粉体、半导体材料制造商
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碳化硅粉的生产工艺通常包括石墨和二氧化硅的混合、烧结和研磨等步骤。. 1. 混合. 将石墨和二氧化硅按照一定比例精细混合，确保二者充分接触和反应。. 在混合过程中，可以加入一定的添加剂，如粘结剂和助剂，以提高反应效率和产品质量。. 2. 烧结. 将混合 ...2014年9月16日 温度对碳化硅粉料合成的影响田牧，徐伟，王英民，侯晓蕊，毛开礼（中国电子科技集团公司第二研究所，山西太原030024）摘要：采用高温合成方法生成了高纯碳化硅（SiC）粉。采用高纯碳(C)粉和硅(Si)粉直接反应，不需外加添加剂，通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明，在..温度对碳化硅粉料合成的影响 - 豆丁网
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