首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 2020年6月10日 碳化硅(SiC)，又称金刚砂。1891年美国人艾契逊(Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
了解更多
2020年8月21日 SiC粉体的合成方法多种多样，总体来说，大致可以分为三种方法。. 第一种方法是固相法，其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;第二种方法是液相法，其中具有代表性的方法主 2023年9月20日 纳米碳化硅(SiC)材料因具有耐磨、耐腐蚀、强度高、高热导等优良的物理与化学性质而备受关注,其作为多功能材料可广泛用于国防、航空、汽车工业、化工、机械 纳米碳化硅的制备与应用研究进展
了解更多
2022年12月1日 实现碳化硅离子注入的方法. 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描 碳化硅（SiC）是一种合成矿物，最常在电阻炉中通过艾奇逊工艺生产，该工艺以1891年发明它的美国人E.G.艾奇逊命名。. 在艾奇逊炉中，碳材料（通常是石油焦）和二氧化硅或石 SiC生产过程 Fiven
了解更多
碳化硅的制备及应用最新研究进展. 碳化硅具有强度大,硬度高,弹性模量大,耐磨性好,导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具,陶瓷,冶金,半导体,耐火材料等领域.常 碳化硅的生产主要有熔融法和化学气相沉积法两种方法。 熔融法是通过高温将硅和石墨（或石墨化硅）混合加热熔融，然后冷却形成碳化硅。 具体工艺如下：碳化硅的生产工艺 - 百度文库
了解更多
Explore the production process of silicon carbide devices, which involves substrate preparation, epitaxial layer growth, wafer manufacturing, and packaging tests.2020年7月20日 碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。. 碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法 ...碳化硅的制备方法
了解更多
2023年9月20日 在国内外相关文献的基础上，重点介绍了纳米SiC的常用制备方法及相关领域的潜在应用，并对纳米SiC 的研究前景提出建议。本文对纳米SiC的进一步深入研究具有积极的意义。 关键词 纳米碳化硅，制备方法，潜在应用，研究进展 Research Prospects of Application and2020年11月17日 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 京ICP备17067035号. 目前碳化硅单晶的制备方法主要有：物理气相传输法（PVT）；顶部籽晶溶液生长法（TSSG）；高温化学气相沉积法（HT-CVD）。. 其中TSSG法生长晶体尺寸较小目前仅用于实验室生长，商业化的技术路线主要是PVT ...对于三种碳化硅制备方法的浅析 - 联盟动态 中关村天合宽禁带 ...
了解更多
碳化硅（SiC）是一种合成矿物，最常在电阻炉中通过艾奇逊工艺生产，该工艺以1891年发明它的美国人E.G.艾奇逊命名。 在艾奇逊炉中，碳材料（通常是石油焦）和二氧化硅或石英砂的混合物在1700-2500℃的高温下进行化学反应，在主要反应后形成α-SiC。碳化硅是一种重要的结构陶瓷材料，具有高硬度、高强度、高温稳定性等优良性能，在电子、航天、汽车等领域有广泛应用。本文将介绍碳化硅制备的几种常见方法。 1. 碳热还原法 碳热还原法是一种常见的碳化硅制备方法，其基本反应为： SiO2 + 3C → SiC碳化硅制备方法_百度文库
了解更多
2021年11月1日 碳化硅纤维的制备方法主要有三种，分别是先驱体转化法、化学气相沉积法（CVD)和活性炭纤维转化法：. 先驱体转化法. 先驱体转化法由日本东北大学矢岛教授等人于1975年研发，主要包括先驱体合成、熔融纺丝、不熔化处理与高温烧结四大工序，是目前比 2020年11月20日 各种碳化硅长晶方法优缺点 碳化硅晶体生长领域国内长晶工艺比较成熟的公司主要有：山东天岳、天科合达、北电新材（三安集成）、河北同光、东尼电子、中电化合物、中电二所、中科钢研等。 在碳化硅单晶生长设备制造领域，国外主要有德国PVA、日本日新技研、美国GT公司，国内具有批量生产 ...三种碳化硅的主要制备方法 - 电子发烧友网
了解更多
2022年11月22日 SiC外延工艺简介. 浏览： 1583 作者： 来源：碳化硅芯观察 时间：2022-11-22 分类：知识驿站. 外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。. 其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可 ...碳化硅粉是冶金、建材和化工等行业制造高温炉、窑、坩埚等耐火材料的重要原料。. 碳化硅粉的耐高温性能超过 2000°C，适用于生产炉衬砖和炉衬板，可有效延长高温炉的使用寿命并降低生产成本。. 磨料. 碳化硅粉末是制造用于加工金属、陶瓷、石材和其他 ...碳化硅粉末的生产和应用
了解更多
2023年11月8日 该方法工艺简单且成本较低，但制备出的涂层与基体结合较弱，涂层均匀性较差，且涂层较薄，抗氧化性较低，因此需要其他辅助方法。 离子束喷涂法 该方法操作简单，可以制备出较为致密的碳化硅涂层， Explore the freedom of expression and writing on Zhihu's dedicated column platform.宴譬布（SIC）茫翁秽厅巍帅言——椒芽苍燃隅蹈封默暑准；
了解更多
2018年11月7日 了高性能碳化硅陶瓷工业化首选的制备方法。3、碳化硅烧结反应工艺流程图 1 1974年美国GE公司通过在高纯度β －SiC细粉中同时加入少量的B和C，采 用无压烧结工艺，于2020℃成功地获得 高密度SiC陶瓷。目前，该工艺已成为制 备SiC陶瓷的主要方法。2024年1月17日 5.1 反应烧结 SiC 成型方法：特定原理. 预成型也称为生坯陶瓷。. 它是一种粉末压实物，由混合原料制成，准备好烧结成最终陶瓷。. RSSC 工艺作为一种陶瓷工艺相对独特，因为它是一种净成型工艺。. 与大多数其他陶瓷不同，烧结过程中不会发生收缩。. 最 反应烧结碳化硅技术详解（RSSC）- 05 生产反应烧结碳化硅 ...
了解更多
CVD碳化硅工艺是一种制备高纯度、高质量碳化硅薄膜的重要工艺。. 该工艺涵盖了加载硅衬底、预热、反应、冷却和后期处理等步骤。. 通过严格控制各个步骤的参数和条件，可以获得理想的碳化硅薄膜。. 该工艺在半导体、光电子等领域有广泛的应用前景，为 ...2017年4月9日 重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展. 黄 进 吴昊天 万龙刚. 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 河南洛阳471039 摘 要:从原料纯度及颗粒形状、成型方法、烧结温度及烧结气氛等方面阐述了重结晶碳化硅材料的制备工艺 及其特点，并与其他组成或性能相 重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展
了解更多
2018年8月4日 2、利用本发明的cvd法碳化硅涂层的制备方法获得的石墨工件的碳化硅涂层中碳硅比接近1∶1，该碳化硅涂层的均匀性良好，石墨基体与碳化硅涂层结合完好，无分层现象，致密性好。附图说明 图1是本发明的制备方法所使用的设备及相关的工艺流程图。2024年2月29日 碳化硅单晶衬底的生产流程. 01. 原料准备. 物理气相传输法（PVT）需要将Si和C按1:1合成SiC多晶颗粒粉料，其粒度、纯度都会直接影响晶体质量，特别是半绝缘型衬底，对粉料的纯度要求极高（杂质含量低于0.5ppm）。. 02. 籽晶. 碳化硅籽晶是晶体生长的基底，为晶体 ...碳化硅SiC衬底生产工艺流程及方法_晶体_籽晶_材料
了解更多
碳化硅纳米材料制备方法研究进展. 碳化硅纳米材料具有热传导率高,热膨胀系数低,机械性能好,热性能和化学稳定性好等特性,并具有耐腐蚀性和抗氧化性,在汽车,化工,石油钻探,雷达,高温的辐射等环境中应用广泛.综述了几种目前常用的制备碳化硅纳米线和碳化硅 ...摘要： 碳化硅具有强度大,硬度高,弹性模量大,耐磨性好,导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具,陶瓷,冶金,半导体,耐火材料等领域.常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法,机械粉碎法,溶胶–凝胶法,化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等.本文对SiC粉体的制备,碳化硅陶瓷 ...碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 百度学术
了解更多
2024年4月18日 三、Acheson工艺 Acheson工艺是一种传统的SiC生产方法。在此过程中，将混 合好的硅砂和碳素材料填充在特制的石墨坩埚中，利用电弧炉产生的高温进行反应。炉温在反应区可达2400°C，这时硅砂和碳在石墨电极的电场作用下发生反应，生成碳化硅。摘要： 第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其禁带宽度大,热稳定性强,热导率高,抗辐射能力强等优点,以耐高温,高压,高频著称,在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料的技术研究前沿和产业竞争焦点.本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅(SiC)的生产方法,研究进展和产业化现状,提出了 ...第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 百度学术
了解更多
2024年4月15日 碳化硅（SiC）器件具有击穿电压高、功率大、耐高温工作、可靠性高、损耗低等特点，是高压电力电子领域的热门研究器件，极其适合于电力系统应用。 由于碳化硅材料具有耐腐蚀、高硬度和易碎性等特点，使得其加工工艺比普通的硅、砷化镓等半导体材料要困难得多，因此碳化硅与硅、砷化镓 ...2021年11月15日 目前碳化硅陶瓷的制备技术主要有反应烧结、常压烧结、热压烧结、热等静压烧结、放电等离子烧结、振荡压力烧结。. 1. 反应烧结. 反应烧结碳化硅的工艺流程首先是将碳源和 碳化硅粉 进行混合，经注浆成型，干压或冷等静压成型制备出坯体，然后进行渗硅 ...碳化硅陶瓷七大烧结工艺-会议展览-资讯-中国粉体网
了解更多
2024年3月16日 淡水蟹养殖商业计划书.pptx. 基体表面碳化硅涂层的制备方法与晶圆外延生长用托盘.pdf,本发明提供一种基体表面碳化硅涂层的制备方法，采用气相沉积法，在气相沉积碳化硅涂层的过程中对碳化硅的晶粒尺寸进行三次控制，使涂层呈三层结构，其中靠近基体的 2024年4月10日 6. 器件制造难点：碳化硅器件制造过程中的掺杂步骤需要在高温下完成，且需要采用高温离子注入的方式，这与传统硅基器件的扩散工艺不同。这些步骤需要精密的设备和严格的工艺控制，以确保器件的结构和功能。综上所述，碳化硅的制备难点相较于传统硅基器件主要在于更高的制备温度、更慢的 ...SIC知识--（2）：衬底生产工艺难点_碳化硅衬底-CSDN博客
了解更多
目前国内对于碳化硅微粉的提纯、分级加工的方法，主要是以日本技术为主导的水力精分选工艺方式又叫水溢流分选方式，行业中普遍叫水力分级。 本文所提出的水力精分选工艺方法是大连信东高技术材料有限公司于1996年，学习日本Shineno电气制炼株式会社的最新水力精分选生产工艺流程。2022年1月1日 用于制备低纯度多晶 SiC 颗粒，此方法原料成本低，制备工艺简单。 Raj P 等 [5] 采用热模型研究了艾奇逊 过程中碳化硅的碳热生成过程。Recent Research Progress in Preparation and Application of ...
了解更多
2023年3月3日 9.本发明的技术方案是： 10.一种具有规则孔隙结构多孔碳化硅陶瓷的制备方法 ，该制备方法包括如下步骤： 11.步骤1，利用三维建模软件构建出在空间内周期性堆垛的多面体或基于三重周期最小曲面的几何体具有规则孔隙结构的几何图形；利用光 ...纳米碳化硅(SiC)材料因具有耐磨、耐腐蚀、强度高、高热导等优良的物理与化学性质而备受关注，其作为多功能材料可广泛用于国防、航空、汽车工业、化工、机械工业、电子工业和生物陶瓷等领域。本文在国内外相关文献的基础上，重点介绍了纳米SiC的常用制备方法及相关领域的潜在应用，并对 ...纳米碳化硅的制备与应用研究进展 - 汉斯出版社
了解更多